Поставки электронных компонентов ведущих мировых производителей
О Корпорации «ТОЧКА ОПОРЫ»
МОСКВА,
Балаклавский проспект, 28 Б, строение 1
(495) 956 3942  (495) 956 3943 (факс)
(800) 200 3942  (бесплатные звонки)
скайп:  fulcrum.office
контакты и схема проезда
поиск по сайту:  ИСКАТЬ
 
 

Программа поставок

Микросхемы постоянных запоминающих устройств (ПЗУ)

обзор ИМС памяти  |  ОЗУ  |  энергонезависимые ОЗУ  |  ПЗУ
  SRAM
  FastSRAM
Считается, что устройство, известное нам как электрический
конденсатор, впервые появилось в городе  Лейден  в 1745 году
и было названо «Лейденская банка» (Leyden jar).
Наверное, нам всем следует хотя бы направить в адрес
муниципалитета города благодарственное письмо.
Как следует из названия – информация в этих ИМС сохраняется постоянно, независимо (или – практически независимо) от внешних условий, прежде всего – от наличия питания. Далее мы подробно рассмотрим их группы по типам интерфейса, а сейчас кратко остановимся на технологических и схемотехнических особенностях.
 
 
В производстве ИМС данной группы используются технологии, основанные на создании неоднородной по толщине подзатворной изоляции МОП транзисторов (как правило, слои SiO2 и Si3N4). Создание таких слоев позволяет производить, при определенных условиях, инжекцию электронов из канала транзистора на границу раздела диэлектрических слоев за счет туннельного эффекта и долговременное их сохранение там. Наличие или отсутствие заряда в ячейке памяти интерпретируется как 1 или более бит информации.
 
Наиболее старая из подобных технологий – EPROM. Для создания неоднородности используется дополнительный «плавающий» затвор, полностью изолированный толщей SiO2. Для записи информации заряд вносится на «плавающий» затвор подачей повышенного напряжения (относительно напряжения питания), а для стирания используется облучение кристалла УФ излучением (благодаря ионизации в слоях подзатворного диэлектрика, накопленный при записи заряд стекает в канал).
 
Дальнейшее ее развитие – технология EEPROM с диэлектриком SiO2 и Si3N4. Она обеспечивает как запись, так и стирание информации электрическим путем, при этом генератор повышенного напряжения встроен в ИМС. Это позволило увеличить гибкость устройств, уменьшить их габариты и несколько снизить стоимость (за счет отказа от сложных в производстве керамических корпусов с кварцевым окном).
 
Современная вершина технологий производства ПЗУ – технология Flash, разработанная на базе EEPROM. Первоначальным стимулом была потребность уменьшить время записи (получилось – в 5 - 10 раз) за счет модификации технологии и использования внешнего источника программирующего напряжения. В дальнейшем, при сохранении высокой скорости записи, генератор напряжения был снова помещен на кристалл ИМС (в некоторых современных ИМС есть дополнительный вход высокого напряжения для ускоренного программирования).
 
На этой группе ИМС сосредоточены основные усилия проектировщиков ИМС:
  • Введение достаточно унифицированных алгоритмов записи и идентификационных данных для упрощения производства готовых изделий.
     
  • Введение синхронного режима работы с пакетной передачей данных
    (передача первого байта/слова – около 80...100 нС, последующих – 30 нС и менее с использованием встроенного в ИМС памяти генератора адресных сигналов) или страничного доступа (использование внутреннего буфера при считывании данных из массива запоминающих ячеек дает увеличение быстродействия, сравнимое с предыдущим вариантом).
    Эти методы особенно эффективны при наличии кэш-памяти.
     
  • Разделение массива памяти на 2 и более независимых области для обеспечения возможности распараллеливания работы (одновременное чтение и запись данных в разных областях).
и технологов:
  • Уменьшение проектных норм при производстве ИМС
    (типовой современный техпроцесс для таких ИМС имеет нормы менее 0.18 мкМ).
     
  • Уменьшение потребляемой мощности в рабочем режиме (снижением напряжения питания и уменьшением паразитных емкостей за счет меньших проектных норм) и режиме ожидания (снижением утечек).
     
  • Повышение ресурса ячеек памяти по циклам перезаписи.
     
  • Увеличение информационной емкости элементарной ячейки памяти (технологии на стыке цифровой и аналоговой микроэлектроники – «Mirror bit», «Multi Level Cell» и др.)
     
  • Освоение перспективных технологий корпусирования
    (flip chip,  multi chip module,  BGA).
     
Схемотехнически элементарные ячейки Flash-памяти могут подсоединяться к выходной шине массива параллельно или последовательно. У каждого решения есть свои преимущества и недостатки.
 
В первом случае  (NOR)  достоинства таковы:
  • более высокая скорость считывания информации;
  • произвольная выборка данных;
  • относительно большой размер страниц (секторов) памяти;
  • гарантированная годность ячеек памяти при производстве.
Преимущества второго  (NAND)  таковы:
  • существенно более высокая скорость записи и стирания;
  • больший ресурс по циклам перезаписи;
  • страницы памяти меньшего размера, сгруппированные в блоки;
  • последовательная выборка данных;
  • высокая технологичность
    (меньшее количество операций в процессе производства и в 3 - 5 раз меньшая площадь элементарной ячейки).
В соответствии с указанными преимуществами память типа NOR, как правило, имеет раздельные шины адреса и данных и используются для хранения программных кодов, исполняемых непосредственно из ПЗУ, и редко обновляемых данных относительно небольшого объема, а память типа NAND имеет мультплексированные шины адреса и данных, дополнительные ячейки памяти в каждой странице памяти (для реализации таблиц размещения файлов и/или корректирующих кодов) и используются для хранения больших объемов часто изменяемых данных или сжатых программных кодов.
 
Скачать PDF-файл Сравнение схемотехник NOR и NAND
формат: PDF,  размер 229 Kb
 
Для полноты картины следует упомянуть также технологии на базе магниторезистивного эффекта (несмотря на большой интерес фирм-производителей ИМС, в массовом производстве пока освоена только фирмами Ramtron и Freescale, см. раздел «Энергонезависимые ОЗУ») и пережигаемых перемычек (однократно программируемые ПЗУ, преимущественно – для применения в условиях воздействия проникающих излучений).
 
 

ИМС памяти с доступом через последовательный интерфейс

ИМС с интерфейсом I2C.
 
ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 кБ до 1 МБ, относительно невысокой скоростью обмена данными (частота синхронизации – 0.1 - 1 МГц, в зависимости от напряжения питания и емкостной нагрузки на шину) и возможностью каскадирования до 8 ИМС с использованием внешних входов задания адреса и программной адресации. При производстве используется технология EEPROM, реже – Flash. Наиболее широко они применяются для хранения конфигурационных данных (например – в телевизорах, модулях памяти для ПК и разнообразных промышленных приборах), архивов данных (в промышленных приборах) и программных кодов (некоторые микроконтроллеры фирмы Cypress).

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT24Cxxx,
AT24Fxxx (Flash)
1 - 1M 1.8 - 5.5 DIP, SOIC, TSSOP, SOT, leadless*
ISSI IS24Cxxx 1 - 256 DIP, SOIC, TSSOP, leadless
ST microelectronics M24Cxxx 1 - 1M DIP, SOIC, TSSOP, MSOP, leadless
Catalyst CAT24Cxxx 1 - 256 DIP, SOIC, TSSOP, SOT, leadless

* здесь и далее – различные варианты безвыводных корпусов
(с контактными площадками по периметру или двум сторонам) небольшого размера.
Например:  CASON и MLF (Atmel),  SON (Spansion),  MLP (ST microelectronics)  и др.
 
 
ИМС с интерфейсом MICROWIRE.
 
ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 до 16 кБ и 16-разрядной организацией (или аппаратным переключением разрядности). При производстве используется технология EEPROM. Практически единственная область их применения – хранение конфигурационных данных (например, для контроллеров доступа к сети Ethernet).

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT93Cxxx 1 - 16 1.8 - 5.5 DIP, SOIC, TSSOP, leadless
Catalyst CAT93Cxxx DIP, SOIC, TSSOP, leadless
ISSI IS93Cxxx DIP, SOIC, TSSOP, leadless
ST microelectronics M93Cxxx,
M93Sxxx,
M93CSxxx
DIP, SOIC, TSSOP, MSOP

 
ИМС с интерфейсом SPI.
 
ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 кБ до 1 ГБ, разнообразными алгоритмами обмена данными и высокой скоростью обмена (частота синхронизации – 50 МГц и более). При производстве используются технологии Flash и EEPROM. Память малого объема применяются для хранения конфигурационных данных, большого – для хранения архивов и программных кодов (например – коды начальной загрузки ЦСП фирмы Texas Instruments или ПЛИС фирмы Altera).

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT25Cxxx (EEPROM) 1 - 1M 1.8 - 5.5 DIP, SOIC, TSSOP, leadless
AT25Fxxx (Flash) 512 - 4M SOIC, leadless
Spansion
(AMD + Fujitsu)
S25FLxxx (Flash) 4M - 128M 1.8 - 3.6 SOIC, leadless
ST microelectronics M95xxx (EEPROM) 1 - 512 1.8-3.6 DIP, SOIC, TSSOP, leadless
Numonyx
(Intel + ST microelectronics)
M25Pxxx, M45Pxxx (Flash) 512 - 128M 1.8 - 3.6 SOIC, leadless
*25Fxxx (Flash) 16M - 64M 3.3 SOIC
Catalyst CAT25xxx (EEPROM) 1 - 256 1.8 - 5.5 DIP, SOIC, TSSOP, leadless
ISSI IS25Cxxx (EEPROM) 1 - 256 DIP, SOIC, TSSOP

Отдельно упомянем ИМС серии «DataFlash» (NOR), предлагаемые фирмой Atmel.
Они имеют высокую скорость обмена, дополнительные области памяти на каждой странице для таблиц размещения данных или контрольных сумм, одно или два буферных ОЗУ для увеличения производительности при записи. Области применения – хранение больших объемов данных и хранение программных кодов при необходимости снижения площади, занимаемой на печатной плате (за счет меньшего числа выводов). При запуске системы программные коды (архивированные) копируются из DataFlash в высокоскоростное ОЗУ и исполняются оттуда.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT26xxx (1 buffer) 4 - 32 2.5 - 3.6 SOIC, leadless
AT45DBxxx (2 buffer) 1 - 64 2.5 - 3.6 SOIC, TSOP, leadless

 

ИМС памяти с доступом через параллельный интерфейс
и раздельными шинами адреса и данных

ИМС с использованием технологии EPROM.
 
ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 256 кБ до 32 МБ (ранее выпускались с меньшей емкостью), 8-и или 16-битной шиной данных с минимальным временем выборки до 45 нС, относительной удельной дороговизной по сравнению с более новыми разработками (электрически стираемая Flash-память) и невысоким ресурсом (по циклам перезаписи). Широко распространены однократно программируемые ИМС, отличаются отсутствием в корпусе кварцевого окна для доступа УФ излучения к кристаллу.
 
Некоторые фирмы  (AtmelWinbondHoltek)  производят модификации с электрическим стиранием информации. Наиболее широко они применяются для хранения программных кодов процессоров без встроенного ПЗУ команд.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT27xxx 256 - 4М 2.7 - 5.5 DIP, PLCC, TSOP
ST microelectronics M27xxx 256 - 32М 3.3,  5.0 DIP, Windowed DIP,
PLCC, TSOP
Winbond W27C512 512 5.0 DIP, PLCC

 
ИМС с использованием технологии EEPROM.
 
ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 64 кБ до 4 МБ (ранее выпускались с меньшей емкостью), 8-битной шиной данных с минимальным временем выборки до 70...80 нС и дороговизной (в десятки раз дороже, чем Flash-память того же объема).
 
Некоторые фирмы производят модификации, соответствующие стандарту MIL-STD-883, как с ненормированной (AtmelIntersil), так и с нормированной (Atmel) устойчивостью к воздействию проникающих излучений. В настоящее время они находят ограниченное применение для хранения программных кодов процессоров без встроенного ПЗУ команд (с возможностью обновления) и конфигурационных данных.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT28xxx 64 - 4М 3.3,  5.0 DIP, PLCC, TSOP, SOIC, Flatpack, PGA
Intersil
(Xicor)
X28*Cxxx 64 - 1М 5.0 DIP, PLCC, SOIC, Flatpack, PGA
Catalyst CAT28Cxxx 16 - 512 3.3,  5.0 DIP, PLCC, TSOP

 
ИМС с использованием технологии Flash.
 
Современные ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью от 1 МБ и выше, 8-и или 16-битной шиной данных, довольно высоким ресурсом (105 циклов перезаписи и более), сходными наборами команд управления и дешевизной. В производстве преимущественно используется схемотехника «NOR».
 
По организации адресного пространства они делятся на:
  • ИМС, разделенные на равные сектора  (единицы-десятки кБ);
  • ИМС с секторами разного размера  (часть секторов с меньшим объемом, называемая обычно «загрузочными блоками», как правило, имеет защиту от несанкционированной записи).
В настоящее время они находят самое широкое применение как для хранения программных кодов или конфигурации ПЛИС, так и разнообразных данных.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Spansion
(AMD + Fujitsu)
S29*Lxxx,
S7**Sxxx
1 - 1G 1.8,  3.3 TSOP, BGA
AM29xxx,
AM4xxx,
AM7*Pxxx,
MBM29xxx,
MB84xxx
1 - 128 1.8,  3.3,  5.0 DIP, PLCC, TSOP
Numonyx
(Intel)
*28Fxxx,
*48Fxxx
8 - 512 1.8,  3.3 TSOP, BGA
Numonyx
(ST microelectronics)
M29Wxxx,
M29*Fxxx,
M58xxx
1 - 256 1.8,  3.3,  5.0 DIP, PLCC, TSOP, SOP, BGA
Macronix MX29xxx 2 - 64 1.8,  3.3,  5.0 PLCC, TSOP, SOP, BGA
Atmel AT49BVxxx (large sector) 4 - 64 1.8,  3.3 PLCC, TSOP, BGA
Atmel AT29LVxxx,
AT29Cxxx (small sector)
256к - 4 3.3,  5.0 PLCC, TSOP

 

ИМС памяти с доступом через параллельный интерфейс
и мультиплексированной шиной адреса и данных

ИМС данной группы характеризуются информационной емкостью в сотни МБ и выше, 8-и или (существенно реже) 16-битной шиной данных, равносекторной организацией, наличием дополнительных областей памяти в каждом секторе для таблиц размещения данных или контрольных сумм, сходными наборами команд управления и предельной дешевизной в расчете на единицу информационной емкости.
 
В производстве используется схемотехника «NAND» и технология Flash. Области применения – хранение больших объемов данных и хранение сжатых программных кодов. При запуске системы программные коды (архивированные) распаковываются из Flash-памяти в высокоскоростное ОЗУ и исполняются оттуда.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Samsung K9xxx 256М - 32 1.8,  3.3 TSOP, BGA
Numonyx
(ST microelectronics)
NANDxxx 128М - 2 1.8,  3.3 TSOP, BGA
Numonyx
(Intel)
SS72xxx, SD74xxx, MD78xxx 2 - 32 3.3 TSOP
Spansion
(AMD + Fujitsu)
S30Mxxx 128М - 1 1.8, 3.3 TSOP, BGA
Hynix HY27xxx 128M - 16 1.8, 3.3 TSOP, BGA

 

Специализированные ИМС

ИМС для начальной загрузки ПЛИС.
 
ИМС данной группы предназначены для начальной (при подаче питания) загрузки данных в микросхемы программируемой логики, хранящие конфигурацию ресурсов во внутреннем ОЗУ (FPGA). Для обмена данными с ПЛИС имеют последовательный синхронный интерфейс. Некоторые серии выступают как ведущие устройства – генерируют тактовый сигнал для обмена данными (например, AT17LVxxxA и EPCxxx), некоторые – как ведомые (например, более современные и дешевые AT17Nxxx и EPCSxxx). При производстве используются технологии Flash и EEPROM.

Производитель Тип
(xxx - емкость)
Емкость,
МБит
Напряжение
питания, В
Типы корпусов
Atmel AT17xxx 128к - 64 3.0 - 5.5 DIP, SOIC, PLCC, TQFP
Altera EPCxxx 128к - 16 3.0 - 5.5 DIP, PLCC, TQFP
EPCSxxx 1 - 64 3.3 SOIC
Xilinx XCFxxS,
XCFxxP
1 - 32 1.8,  3.3 TSSOP, TSOP, TFBGA

 
ИМС энергонезависимых ОЗУ.
 
Данные ИМС предназначены для использования в случаях, когда помимо сохранения данных при отключенном напряжении питания требуется их частое обновление в рабочем режиме.
 
Один из способов обеспечения необходимых характеристик как по количеству циклов перезаписи, так и по энергонезависимому хранению – комбинация статического ОЗУ и ПЗУ, выполненного по EEPROM технологии.
ИМС такого типа предлагают фирмы  Simtek  и  Catalyst.
 
Другой – использование ячеек памяти на ферроэлектрической основе.
В настоящее время ИМС такого типа предлагают фирмы Freescale (ранее – Motorola) и Ramtron.
 
Подробную информацию смотрите в соответствующем разделе:  «Энергонезависимые ОЗУ».
 
 

Подбор ИМС по основным характеристикам,
проверка наличия на складе и документация:

ИМС EEPROM-памяти с последовательным интерфейсом I2C
 
Объем, кБит Размер страницы,
байт  (от 1 до)
Корпус Склад Оригинальная
документация
1 и 2 8 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c02b.pdf
размер 610 Kb
SOIC8 (150 mil.) Выборка по складу в Москве
4, 8 и 16 16 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c16b.pdf
размер 872 Kb
SOIC8 (150 mil.) Выборка по складу в Москве
32 и 64 32 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c32_64c.pdf
размер 782 Kb
SOIC8 (150 mil.) Выборка по складу в Москве
128 и 256 64 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c256b.pdf
размер 980 Kb
SOIC8 (150 mil.) Выборка по складу в Москве
SOIC8 (210 mil.) Выборка по складу в Москве
512 128 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c512b.pdf
размер 816 Kb
SOIC8 (150 mil.) Выборка по складу в Москве
SOIC8 (210 mil.) Выборка по складу в Москве
1M 256 DIP8 Выборка по складу в Москве at24c1024b.pdf
размер 1,09 Mb
SOIC8 (210 mil.) Выборка по складу в Москве
 
 
 
ИМС EEPROM-памяти с последовательным интерфейсом Microwire
 
Описание Корпус Склад Оригинальная
документация
93C46 (1кБ с переключением разрядности) DIP8 Выборка по складу в Москве at93c46d.pdf
размер 877 Kb
SOIC8 Выборка по складу в Москве
 
 
 
ИМС EEPROM и FLASH-памяти с последовательным интерфейсом SPI
 
Описание, xxx - емкость Напряжение
питания, В
Корпус Склад Оригинальная
документация
25010 (EEPROM, 1кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) 1.8 - 5.5 SOIC8 Выборка по складу в Москве at25010-040a.pdf
размер 559 Kb
25040 (EEPROM, 4кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) 1.8 - 5.5 SOIC8 Выборка по складу в Москве
25256 (EEPROM, 256кБ, запись байтами или страницами с автоматическим стиранием) 1.8 - 5.5 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве at25128_256a.pdf
размер 635 Kb
AT25Fxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) 2.7 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве at25fs010.pdf
размер 582 Kb
AT25DFxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) 2.7 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве at25df321.pdf
размер 768 Kb
SOIC8 210 mil. Выборка по складу в Москве
AT26Fxxx/AT26DBxxx (FLASH, от 4MБ, буферное ОЗУ, запись байтами или страницами, страничное, блочное и полное стирание) 2.7 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве at26df321.pdf
размер 571 Kb
SOIC8 210 mil. Выборка по складу в Москве
MLF8 Выборка по складу в Москве
AT45DBxxx (FLASH, от 2МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 256/264 байт, страничное и блочное стирание) 2.5 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве 45db081d.pdf
размер 1,65 Mb
SOIC8 210 mil., MLF8 Выборка по складу в Москве
AT45DBxxx (FLASH, от 16МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 512/528 байт, страничное и блочное стирание) 2.5 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве 45db321d.pdf
размер 1,64 Mb
SOIC8 210 mil., MLF8 Выборка по складу в Москве
TSOP28 Выборка по складу в Москве
AT45DBxxx (FLASH, 64МБ, 2 буферных ОЗУ, страница 1024/1056 байт, страничное и блочное стирание) 2.5 - 3.6 CASON8 (= SOIC8 210 mil.) Выборка по складу в Москве 45db642d.pdf
размер 1,58 Mb
TSOP28 Выборка по складу в Москве
M25Pxxx (FLASH, от 512кБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) 2.7 - 3.6 SOIC8 150 mil. Выборка по складу в Москве m25p80.pdf
размер 990 Kb
SOIC8 210 mil. Выборка по складу в Москве
SOIC16 300 mil. Выборка по складу в Москве
S25FLxxx (FLASH, от 4MБ, запись байтами или страницами, блочное и полное стирание) 2.7 - 3.6 SOIC8 210 mil.,
SOIC16 300 mil.
Выборка по складу в Москве s25fl008_spansion.pdf
размер 1,41 Mb
 
 
 
ИМС для начальной загрузки ПЛИС
 
Описание Корпус Объем, МБ Склад Оригинальная
документация
Для ИМС Altera в режиме «Active serial» SOIC8, 150 mil. 1 Выборка по складу в Москве cyc_c51014(epcs).pdf
размер 686 Kb
4 Выборка по складу в Москве
16 Выборка по складу в Москве
SOIC16, 300 mil 64 Выборка по складу в Москве
Для ИМС Altera в режиме «Passive serial» DIP8 512k Выборка по складу в Москве epc(up_to_2).pdf
размер 218 Kb
1 Выборка по складу в Москве
PLCC20 512k Выборка по складу в Москве
1 Выборка по складу в Москве
2 Выборка по складу в Москве
TQFP32 2 Выборка по складу в Москве
«Platform Flash» для ИМС Xilinx, последовательный интерфейс TSSOP20 1 - 4 Выборка по складу в Москве xcf_platform_flash.pdf
размер 579 Kb
«Platform Flash» для ИМС Xilinx, последовательный и параллельный интерфейсы TSOP48, BGA48 8 - 32 Выборка по складу в Москве
 
 
 
ИМС EPROM и EEPROM-памяти с параллельным интерфейсом
 
Тип Объем, кБит Склад Оригинальная
документация
EPROM 256 Выборка по складу в Москве m27c256b.pdf
размер 114 Kb
512 Выборка по складу в Москве am27c512.pdf
размер 171 Kb
EEPROM 64 Выборка по складу в Москве at28hc64b.pdf
размер 292 Kb
256 Выборка по складу в Москве x28hc256.pdf
размер 194 Kb
1M Выборка по складу в Москве at28c010.pdf
размер 253 Kb
 
 
 
ИМС FLASH-памяти с доступом через параллельный интерфейс
и мультиплексированными шинами адреса и данных (NAND)
 
Размер страницы,
байт
Объем, ГБит Корпус Склад Оригинальная
документация
528  (512 + 16) 128M TSOP48 Выборка по складу в Москве nand128_1g_stm.pdf
размер 952 Kb
256M TSOP48 Выборка по складу в Москве
512M TSOP48 Выборка по складу в Москве
1 TSOP48 Выборка по складу в Москве
2112  (2k + 64) 1 TSOP48 Выборка по складу в Москве k9f8g08_rev10.pdf
размер 1,33 Mb
2 TSOP48 Выборка по складу в Москве
4 TSOP48 Выборка по складу в Москве
8 TSOP48 Выборка по складу в Москве
16 и более TSOP48, BGA Напишите письмо для заказа
 
 
 
ИМС FLASH-памяти с доступом через параллельный интерфейс
и раздельными шинами адреса и данных (NOR)
 
Объем,
МБит
Разрядность Организация Напряжение
питания, В
Корпус Склад Оригинальная
документация
1 8 8 страниц по 16кБ 5 DIP32 Выборка по складу в Москве am29f010b.pdf
размер 951 Kb
PLCC32 Выборка по складу в Москве
3.3 PLCC32 Выборка по складу в Москве am29lv010b.pdf
размер 1,02 Mb
TSOP32 Выборка по складу в Москве
4 8 8 страниц по 64кБ 5 PLCC32 Выборка по складу в Москве am29f040.pdf
размер 395 Kb
TSOP32 Выборка по складу в Москве
3.3 PLCC32 Выборка по складу в Москве am29lv040b.pdf
размер 681 Kb
TSOP32 Выборка по складу в Москве
8/16 с загрузочными блоками 5, 3.3 TSOP48 Выборка по складу в Москве am29lv400b.pdf
размер 1,14 Mb
8 8 16 страниц по 64кБ 3.3 TSOP40 Выборка по складу в Москве (AMD pinout) am29lv081b.pdf
размер 1,23 Mb
8/16 с загрузочными блоками 3.3 TSOP48 Выборка по складу в Москве (Top boot, AMD pinout) s29al008.pdf
размер 2,13 Mb
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, AMD pinout)
BGA48 Выборка по складу в Москве (Top boot, AMD pinout)
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, AMD pinout)
16 8/16 с загрузочными блоками 3.3 TSOP48 Выборка по складу в Москве (Top boot, AMD pinout) s29al016.pdf
размер 1,95 Mb
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, AMD pinout)
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, Intel pinout) 28F800_640C3.pdf
размер 1,19 Mb
BGA48 Напишите письмо для заказа
32 8/16 с загрузочны-ми блоками 3.3 TSOP48 Выборка по складу в Москве (Top boot, AMD pinout) s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, AMD pinout)
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, Intel pinout) 28F800_640C3.pdf
размер 1,19 Mb
BGA Выборка по складу в Москве (Top boot, AMD pinout) s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb
Выборка по складу в Москве (Bottom boot, AMD pinout)
64 8/16 128 страниц по 64кБ 3.3 TSOP48 Выборка по складу в Москве (AMD pinout) s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb
BGA Напишите письмо для заказа
128 8/16 256 страниц по 64кБ 3.3 TSOP56 Выборка по складу в Москве (AMD pinout) s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb
Выборка по складу в Москве (Intel pinout) 28F320_256J3.pdf
размер 968 Kb
256 8/16 512 страниц по 64кБ 3.3 TSOP56 Выборка по складу в Москве (AMD pinout) s29gl032_256m.pdf
размер 4,7 Mb
 
 
 
 

Полезная информация:

1. В дополнение к самим ИМС мы можем предложить:
  • универсальные программаторы «Sterh»  для ремонта, опытного и мелкосерийного производства и специализированные внутрисхемные программаторы для конфигурационных ПЗУ;
     
  • услуги по программированию ПЗУ;
     
  • для крупных проектов возможно предоставление программных пакетов поддержки ИМС Flash-памяти от фирм-производителей (низкоуровневые процедуры обмена с памятью, реализации FAT, подпрограммы обнаружения и коррекции ошибок и проч.)
 
2.
Скачать PDF-файл Сравнение схемотехник NOR и NAND
формат: PDF,  размер 229 Kb
 
 
3. Руководства по выбору ИМС ПЗУ от фирм-производителей:
 
Открыть в новом окне Spansion
официальный сайт компании
 
Открыть в новом окне Numonyx
(объединение подразделений Flash-памяти  Intel  и  ST microelectronic)
 
Скачать PDF-файл ST microelectronics. NAND Flash memories. Nov 2006
формат: PDF,  размер 152 Kb
 
Скачать PDF-файл ST microelectronics. NOR Flash memories. Jan 2006
формат: PDF,  размер 96 Kb
 
Скачать PDF-файл ST microelectronics. Serial EEPROM, serial Flash and application specific serial nonvolatile memories. Feb 2005
формат: PDF,  размер 920 Kb
 
Открыть в новом окне Intel
раздел сайта компании
 
Скачать PDF-файл Micron. NAND product guide. 2Q 2007
формат: PDF,  размер 84 Kb
 
Открыть в новом окне Atmel,  Product Selector
официальный сайт компании
 
Скачать PDF-файл  New!   ISSI Product Selector Guide 2009/2010
формат: PDF,  размер 456 Kb
 
Открыть в новом окне Intersil
раздел сайта компании
 
Скачать PDF-файл  New!   ON semiconductor. Memory Products Selector Guide 2008/2009  (ранее – Catalyst)
формат: PDF,  размер 208 Kb
 
Открыть в новом окне Macronix
официальный сайт компании
 
Скачать PDF-файл Hynix. Memory Short Form Catalog. 3Q 2007
формат: PDF,  размер 844 Kb
 
 
4.
Скачать PDF-файл JESD68.01. Common Flash Interface (CFI)
Спецификация «Common Flash Interface» для ИМС с параллельным доступом и схемотехникой NOR
формат: PDF,  размер 207 Kb
 
 
о компании
контакты и схемы проезда
партнерство
    главная        программа поставок    поиск по складу    поддержка    услуги
новости    конференции    рассылки    запросы товаров
 
карта сайта
добавить в избранное
сделать стартовой
 © 1999–2017  FulCrum Corp.
          обратная связь: ic@fulcrum.ru Rambler's Top100 ServiceTop100